FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Produkta Priskribo
| Atribuo de la produkto | Valoro de atribuo |
| Fabrikisto: | duonjariĝo |
| Produkta kategorio: | MOSFET |
| RoHS: | Detaloj |
| Teknologio: | Si |
| Stilo de muntado: | SMD/SMT |
| Pakaĵo / Kovrilo: | SSOT-3 |
| Poluseco de la transistoro: | P-Kanalo |
| Kanala numero: | 1 Kanalo |
| Vds - Tensión disruptiva inter drenaje kaj fonto: | 30 Voltoj |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2 A |
| Rds On - Resistencia inter drenaje kaj fonto: | 63 mOmoj |
| Vgs - Tensio inter pordo kaj fonto: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensio umbra inter pordo kaj fonto: | 3 V |
| Qg - Pordŝarĝo: | 9 nC |
| Labortemperaturo minimuma: | - 55 °C |
| Labortemperaturo maksimuma: | + 150 °C |
| Dp - Dissipación de potenco : | 500 mW |
| Modo-kanalo: | Plibonigo |
| Komerca nomo: | Potenco-Tranĉeo |
| Enpakita: | Bobeno |
| Enpakita: | Tranĉita Glubendo |
| Enpakita: | Musbobeno |
| Marko: | duonjaro / Fairchild |
| Agordo: | Unuopa |
| Faltempo: | 13 ns |
| Transkonduktado hacia delante - Min.: | 5 S |
| Alto: | 1.12 milimetroj |
| Longitudo: | 2.9 milimetroj |
| Produkto: | MOSFET Malgranda Signalo |
| Produkta tipo: | MOSFET |
| Subenirtempo: | 13 ns |
| Serio: | FDN360P |
| Kvanto de empaque de fabriko: | 3000 |
| Subkategorio: | MOSFET-oj |
| Tipo de transistoro: | 1 P-Kanalo |
| Tipo: | MOSFET |
| Tempo de retardo de apagado típica: | 11 ns |
| Tempo típica de demora de encendido: | 6 ns |
| Anĉo: | 1.4 milimetroj |
| Kaŝnomo de la pecoj n-ro: | FDN360P_NL |
| Pezo de la unuo: | 0.001058 uncoj |
♠ Unuopa P-kanalo, PowerTrenchÒ MOSFET
Ĉi tiu P-kanala logika nivelo MOSFET estas produktita uzante la progresintan Power Trench-procezon de ON Semiconductor, kiu estis speciale adaptita por minimumigi la ŝaltitan reziston kaj tamen konservi malaltan pordegan ŝargon por supera ŝaltila rendimento.
Ĉi tiuj aparatoj bone taŭgas por malalttensiaj kaj bateri-funkciigitaj aplikoj, kie necesas malalta enlinia potencperdo kaj rapida ŝaltado.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW ĉe VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW ĉe VGS = –4,5 V
· Malalta pordega ŝargo (6,2 nC tipe) · Alt-efikeca tranĉeoteknologio por ekstreme malalta RDS (ŝaltita).
· Altpotenca versio de la industria norma pakaĵo SOT-23. Identa pinglo-aranĝo kiel SOT-23 kun 30% pli alta potenc-manipula kapablo.
· Ĉi tiuj aparatoj estas sen plumbo kaj konformas al RoHS
