FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Produkta Priskribo
| Atributo de la produkto | Valoro de atributo |
| Produktanto: | onsemi |
| Kategorio de produkto: | MOSFET |
| RoHS: | Detaloj |
| Teknologio: | Si |
| Stilo de muntado: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polareco de transistoro: | P-kanalo |
| Nombro de kanaloj: | 1 Kanalo |
| Vds - Tensión disruptiva inter drenaje kaj fonto: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2 A |
| Rds On - Resistencia inter drenaje kaj fonto: | 63 mOhmoj |
| Vgs - Tensio inter pordo kaj fonto: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensio umbra inter pordo kaj fonto: | 3 V |
| Qg - Pordo de Pordo: | 9 nC |
| Labortemperaturo minimuma: | - 55 C |
| Labortemperaturo maksimuma: | + 150 C |
| Dp - Dissipación de potenco : | 500 mW |
| Modo-kanalo: | Plibonigo |
| Komerca nomo: | PowerTrench |
| Empakita: | Bobeno |
| Empakita: | Tranĉi Bendon |
| Empakita: | MouseReel |
| Marko: | onsemi / Fairchild |
| Agordo: | Unuopa |
| Tempo de falo: | 13 ns |
| Transkonduktado hacia delante - Min.: | 5 S |
| Alturo: | 1,12 mm |
| Longitudo: | 2,9 mm |
| Produkto: | MOSFET Malgranda Signalo |
| Tipo de produkto: | MOSFET |
| Tempo de subida: | 13 ns |
| Serio: | FDN360P |
| Kvanto de empaque de fabriko: | 3000 |
| Subkategorio: | MOSFEToj |
| Tipo de transistoro: | 1 P-Kanalo |
| Tipo: | MOSFET |
| Tempo de retardo de apagado típica: | 11 ns |
| Tempo típica de demora de encendido: | 6 ns |
| Anĉo: | 1,4 mm |
| Kaŝnomo de la pecoj n.º: | FDN360P_NL |
| Pezo de la unuo: | 0.001058 oz |
♠ Ununura P-Kanalo, PowerTrenchÒ MOSFET
Ĉi tiu P-Kanalo Logika Nivelo MOSFET estas produktita uzante ON Semiconductor-progresan Power Trench-procezon, kiu estis speciale adaptita por minimumigi la surŝtatan reziston kaj tamen konservi malaltan pordegan ŝargon por supera ŝanĝa agado.
Ĉi tiuj aparatoj estas bone taŭgaj por malalta tensio kaj kuirilaro funkciigitaj aplikoj kie malalta en-linia potencperdo kaj rapida ŝanĝado estas postulataj.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4.5 V
· Malalta pordego-ŝarĝo (6.2 nC tipa) · Alta rendimenta tranĉea teknologio por ekstreme malalta RDS (ON).
· Alta potenco versio de industria Norma SOT-23-pakaĵo.Identa pin-eliro al SOT-23 kun 30% pli alta potenco-traktadkapablo.
· Ĉi tiuj Aparatoj estas Pb-Senaj kaj estas Konformaj al RoHS
