Nova speco de feroelektra memorpeceto bazita sur hafnio evoluigita kaj desegnita de Liu Ming, Akademiano de la Instituto de Mikroelektroniko, estis prezentita ĉe la IEEE-Internacia Konferenco pri Solidŝtataj Cirkvitoj (ISSCC) en 2023, la plej alta nivelo de integra cirkvito-dezajno.
Alt-efikeca enigita ne-volatila memoro (eNVM) estas en alta postulo je SOC-fritoj en konsumelektroniko, aŭtonomiaj veturiloj, industria kontrolo kaj randaparatoj por la Interreto de Aĵoj.Feroelektra memoro (FeRAM) havas la avantaĝojn de alta fidindeco, ultra-malalta energikonsumo kaj alta rapideco.Ĝi estas vaste uzata en grandaj kvantoj de datumregistrado en reala tempo, ofta legado kaj skribo de datumoj, malalta energikonsumo kaj enigitaj produktoj de SoC/SiP.Feroelektra memoro bazita sur PZT-materialo atingis amasproduktadon, sed ĝia materialo estas nekongrua kun CMOS-teknologio kaj malfacile ŝrumpebla, kondukante al la disvolva procezo de tradicia ferroelektra memoro estas grave malhelpita, kaj enigita integriĝo bezonas apartan produktadolinian subtenon, malfacile popularigebla. grandskale.La miniatureblo de nova hafni-bazita ferelektra memoro kaj ĝia kongruo kun CMOS-teknologio igas ĝin esplora retpunkto de ofta zorgo en akademiularo kaj industrio.Hafni-bazita ferelektra memoro estis rigardita kiel grava evoludirekto de la venonta generacio de nova memoro.Nuntempe, la esplorado de hafni-bazita ferelektra memoro daŭre havas problemojn kiel ekzemple nesufiĉa unuofidindeco, manko de blatdezajno kun kompleta periferia cirkvito, kaj plia konfirmo de blatnivela efikeco, kiu limigas ĝian aplikon en eNVM.
Celante la defiojn alfrontatajn de enigita hafnio-bazita ferelektra memoro, la teamo de Akademiano Liu Ming de la Instituto de Mikroelektroniko desegnis kaj efektivigis la megab-grandan FeRAM-testpeceton por la unua fojo en la mondo surbaze de la grandskala integriga platformo. de hafnio-bazita ferelektra memoro kongrua kun CMOS, kaj sukcese kompletigis la grandskalan integriĝon de HZO-ferelektra kondensilo en 130nm CMOS-procezo.Estas proponita cirkvito de skribo-veturado helpata de ECC por temperatursensado kaj sentema amplifila cirkvito por aŭtomata kompensa elimino, kaj 1012-cikla fortikeco kaj 7ns skribo kaj 5ns legotempo estas atingitaj, kiuj estas la plej bonaj niveloj raportitaj ĝis nun.
La papero "A 9-Mb HZO-bazita Enigita FeRAM kun 1012-Cikla Eltenivo kaj 5/7ns Legado/Skribu uzante ECC-Assisted Data Refresh" baziĝas sur la rezultoj kaj Offset-Canceled Sense Amplifier "estis elektita en ISSCC 2023, kaj la blato estis elektita en la ISSCC Demo-Sesio por esti montrita en la konferenco.Yang Jianguo estas la unua verkinto de la papero, kaj Liu Ming estas la responda verkinto.
La rilata laboro estas subtenata de la Nacia Naturscienca Fondaĵo de Ĉinio, la Nacia Ŝlosila Esplora kaj Disvolva Programo de la Ministerio de Scienco kaj Teknologio, kaj la B-Klasa Pilota Projekto de la Ĉina Akademio de Sciencoj.
(Foto de 9Mb Hafnio-bazita FeRAM-peceto kaj peceto-efikectesto)
Afiŝtempo: Apr-15-2023