VNS1NV04DPTR-E Pordegaj peliloj OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Produkta Priskribo
| Produkta Atributo | Atributa Valoro |
| Fabrikisto: | STMicroelectronics |
| Produkta Kategorio: | Pordegaj Ŝoforoj |
| Produkto: | MOSFET Pordegaj Ŝoforoj |
| Tipo: | Malalta Flanko |
| Monta Stilo: | SMD/SMT |
| Pako/Kazo: | SOIC-8 |
| Nombro da ŝoforoj: | 2 Ŝoforo |
| Nombro de Eligoj: | 2 Eligo |
| Eliga Kurento: | 1.7 A |
| Proviza Tensio - Maksimuma: | 24 V |
| Levtempo: | 500 ns |
| Aŭtuna Tempo: | 600 ns |
| Minimuma Operacia Temperaturo: | - 40 C |
| Maksimuma Funkcia Temperaturo: | + 150 C |
| Serio: | VNS1NV04DP-E |
| Kvalifiko: | AEC-Q100 |
| Pakado: | Bobeno |
| Pakado: | Tranĉi Bendon |
| Pakado: | MouseReel |
| Marko: | STMicroelectronics |
| Sentema al humideco: | Jes |
| Funkcia Proviza Kurento: | 150 uA |
| Produkta Tipo: | Pordegaj Ŝoforoj |
| Fabrika Pako Kvanto: | 2500 |
| Subkategorio: | PMIC - Power Management ICs |
| Teknologio: | Si |
| Unueca pezo: | 0.005291 oz |
♠ OMNIFET II plene aŭtoprotektita Potenca MOSFET
La VNS1NV04DP-E estas aparato formita de du monolitaj OMNIFET II-fritoj enhavitaj en norma SO-8-pakaĵo.La OMNIFET II estas dizajnitaj en STMicroelectronics VIPower™ M0-3-teknologio: ili estas destinitaj por anstataŭigo de normaj Potencaj MOSFET-oj de DC ĝis 50KHz-aplikoj.Enkonstruita termika malŝalto, lineara nuna limigo kaj trotensia krampo protektas la blaton en severaj medioj.
Faŭlta religo povas esti detektita monitorante la tension ĉe la eniga stifto.
• Lineara nuna limigo
• Termika haltigo
• Protekto de mallonga cirkvito
• Integrita krampo
• Malalta fluo desegnita de eniga pinglo
• Diagnoza retrosciigo per eniga pinglo
• ESD-protekto
• Rekta aliro al la pordego de la potenca mosfet (analoga veturado)
• Kongrua kun norma potenco mosfet
• Konforme al la eŭropa direktivo 2002/95/EC
