VNS1NV04DPTR-E Pordegaj Ŝoforoj OMNIFET POTENCO MOSFET 40V 1.7 A
♠ Produkta Priskribo
| Produkta Atributo | Atributa Valoro |
| Fabrikisto: | STMicroelectronics |
| Produkta Kategorio: | Pordegaj Ŝoforoj |
| Produkto: | MOSFET-Pordegaj Ŝoforoj |
| Tipo: | Malalta-flanko |
| Munta Stilo: | SMD/SMT |
| Pakaĵo / Kazo: | SOIC-8 |
| Nombro de ŝoforoj: | 2 Ŝoforo |
| Nombro de Eligoj: | 2 Eligo |
| Elira kurento: | 1.7 A |
| Proviza Tensio - Maks: | 24 V |
| Leviĝtempo: | 500 ns |
| Aŭtuna Tempo: | 600 ns |
| Minimuma Funkciiga Temperaturo: | - 40 °C |
| Maksimuma Funkciiga Temperaturo: | + 150 °C |
| Serio: | VNS1NV04DP-E |
| Kvalifiko: | AEC-Q100 |
| Pakado: | Bobeno |
| Pakado: | Tranĉita Glubendo |
| Pakado: | Musbobeno |
| Marko: | STMicroelectronics |
| Humideca Sentema: | Jes |
| Funkciiga Proviza Kurento: | 150 µA |
| Produkta Tipo: | Pordegaj Ŝoforoj |
| Fabrikpakaĵa Kvanto: | 2500 |
| Subkategorio: | PMIC - Potencaj Administraj IC-oj |
| Teknologio: | Si |
| Unuopezo: | 0.005291 uncoj |
♠ OMNIFET II plene aŭtomate protektita potenco-MOSFET
La VNS1NV04DP-E estas aparato formita de du monolitaj OMNIFET II-blatoj enhavitaj en norma SO-8-pakado. La OMNIFET II estas desegnitaj per la teknologio VIPower™ M0-3 de STMicroelectronics: ili celas anstataŭigi normajn potencajn MOSFET-ojn en aplikoj de kontinua kurento ĝis 50KHz. Enkonstruita termika malŝalto, lineara kurentlimigo kaj trotensio-krampo protektas la blaton en severaj medioj.
Eraro-religo povas esti detektita per monitorado de la tensio ĉe la enira stifto.
• Lineara kurenta limigo
• Termika malŝalto
• Protekto kontraŭ kurta cirkvito
• Integra krampo
• Malalta kurento tirata de eniga stifto
• Diagnoza respondo per eniga pinglo
• ESD-protekto
• Rekta aliro al la pordego de la potenca MOSFET (analoga stirado)
• Kongrua kun norma potenco MOSFET
• Konforme al la eŭropa direktivo 2002/95/EK
