FQU2N60CTU MOSFET 600V N-Kanalo Adv Q-FET C-Serio
♠ Produkta Priskribo
| Produkta Atributo | Atributa Valoro |
| Fabrikisto: | onsemi |
| Produkta Kategorio: | MOSFET |
| Teknologio: | Si |
| Monta Stilo: | Tra Truo |
| Pako/Kazo: | TO-251-3 |
| Transistora Polareco: | N-kanalo |
| Nombro da Kanaloj: | 1 Kanalo |
| Vds - Malplenigo-Fonta Tensio: | 600 V |
| Id - Kontinua Drena Kurento: | 1.9 A |
| Rds On - Dreniĝo-Fonta Rezisto: | 4.7 Ohmoj |
| Vgs - Pordega-Fonta Tensio: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Pordega-Fonta Sojla Tensio: | 2 V |
| Qg - Pordega Ŝarĝo: | 12 nC |
| Minimuma Operacia Temperaturo: | - 55 C |
| Maksimuma Funkcia Temperaturo: | + 150 C |
| Pd - Potenco Dissipado: | 2,5 W |
| Kanala reĝimo: | Plibonigo |
| Pakado: | Tubo |
| Marko: | onsemi / Fairchild |
| Agordo: | Unuopa |
| Aŭtuna Tempo: | 28 ns |
| Antaŭen Transkonduktanco - Min: | 5 S |
| Alteco: | 6,3 mm |
| Longo: | 6,8 mm |
| Produkta Tipo: | MOSFET |
| Levtempo: | 25 ns |
| Serio: | FQU2N60C |
| Fabrika Pako Kvanto: | 5040 |
| Subkategorio: | MOSFEToj |
| Tipo de transistoro: | 1 N-Kanalo |
| Tipo: | MOSFET |
| Tipa Malŝalta Prokrasto: | 24 ns |
| Tipa Enŝalta Prokrasto: | 9 ns |
| Larĝo: | 2,5 mm |
| Unueca pezo: | 0.011993 oz |
♠ MOSFET - N-Kanalo, QFET 600 V, 1.9 A, 4,7
Ĉi tiu N−Channel-pliboniga reĝimo-potenca MOSFET estas produktita uzante la proprietan planan strion kaj DMOS-teknologion de onsemi.Ĉi tiu progresinta MOSFET-teknologio estis speciale tajlorita por redukti surŝtatan reziston, kaj por disponigi superan ŝanĝan efikecon kaj altan lavangan energiforton.Ĉi tiuj aparatoj taŭgas por ŝaltitaj reĝimaj elektroprovizoj, aktiva potencfaktorkorektado (PFC), kaj elektronikaj lampbalastoj.
• 1.9 A, 600 V, RDS(on) = 4.7 (Maks.) @ VGS = 10 V, ID = 0.95 A
• Malalta Pordega Ŝarĝo (Tipe 8.5 nC)
• Malalta Crss (Tipe 4.3 pF)
• 100% Lavango Testita
• Ĉi tiuj Aparatoj estas Halid Liberaj kaj estas Konformaj al RoHS
