NDS331N MOSFET N-Ch LL FET Pliboniga Reĝimo
♠ Produkta Priskribo
| Produkta Atributo | Atributa Valoro |
| Fabrikisto: | onsemi |
| Produkta Kategorio: | MOSFET |
| Teknologio: | Si |
| Monta Stilo: | SMD/SMT |
| Pako/Kazo: | SOT-23-3 |
| Transistora Polareco: | N-kanalo |
| Nombro da Kanaloj: | 1 Kanalo |
| Vds - Malplenigo-Fonta Tensio: | 20 V |
| Id - Kontinua Drena Kurento: | 1.3 A |
| Rds On - Dreniĝo-Fonta Rezisto: | 210 mOhmoj |
| Vgs - Pordega-Fonta Tensio: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Pordega-Fonta Sojla Tensio: | 500 mV |
| Qg - Pordega Ŝarĝo: | 5 nC |
| Minimuma Operacia Temperaturo: | - 55 C |
| Maksimuma Funkcia Temperaturo: | + 150 C |
| Pd - Potenco Dissipado: | 500 mW |
| Kanala reĝimo: | Plibonigo |
| Pakado: | Bobeno |
| Pakado: | Tranĉi Bendon |
| Pakado: | MouseReel |
| Marko: | onsemi / Fairchild |
| Agordo: | Unuopa |
| Aŭtuna Tempo: | 25 ns |
| Alteco: | 1,12 mm |
| Longo: | 2,9 mm |
| Produkto: | MOSFET Malgranda Signalo |
| Produkta Tipo: | MOSFET |
| Levtempo: | 25 ns |
| Serio: | NDS331N |
| Fabrika Pako Kvanto: | 3000 |
| Subkategorio: | MOSFEToj |
| Tipo de transistoro: | 1 N-Kanalo |
| Tipo: | MOSFET |
| Tipa Malŝalta Prokrasto: | 10 ns |
| Tipa Enŝalta Prokrasto: | 5 ns |
| Larĝo: | 1,4 mm |
| Parto # Kaŝnomo: | NDS331N_NL |
| Unueca pezo: | 0.001129 oz |
♠ N-Kanalo Logika Nivelo Pliboniga Reĝimo Kampefekta Transistoro
Ĉi tiuj N−Channel logika nivelo pliboniga reĝimo potenca kampefiko transistoroj estas produktitaj uzante la proprietan, alta ĉela denseco, DMOS teknologio de ON Semiconductor.Tiu tre alta denseca procezo estas speciale tajlorita por minimumigi surŝtatan reziston.Tiuj aparatoj estas precipe konvenitaj por malalttensiaj aplikoj en tekokomputiloj, porteblaj telefonoj, PCMCIA-kartoj, kaj aliaj baterifunkciaj cirkvitoj kie rapida ŝanĝado, kaj malalta enlinia potencperdo estas necesaj en tre malgranda skiza surfacmunta pakaĵo.
• 1,3 A, 20 V
♦ RDS(on) = 0,21 @ VGS = 2,7 V
♦ RDS(on) = 0,16 @ VGS = 4,5 V
• Industry Standard Outline SOT−23 Surfac Mount Package Using
Propra SUPERSOT−3 Dezajno por Superaj Termikaj kaj Elektraj Kapabloj
• Alta Densa Ĉela Dezajno por Ekstreme Malalta RDS (on)
• Escepta On−Resistance kaj Maksimuma DC-Nuna Kapablo
• Ĉi tio estas Pb−Free Aparato
