SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Produkta Priskribo
| Produkta Atributo | Atributa Valoro |
| Fabrikisto: | Vishay |
| Produkta Kategorio: | MOSFET |
| RoHS: | Detaloj |
| Teknologio: | Si |
| Monta Stilo: | SMD/SMT |
| Pako/Kazo: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistora Polareco: | P-kanalo |
| Nombro da Kanaloj: | 1 Kanalo |
| Vds - Malplenigo-Fonta Tensio: | 200 V |
| Id - Kontinua Drena Kurento: | 3.8 A |
| Rds On - Dreniĝo-Fonta Rezisto: | 1.05 Ohmoj |
| Vgs - Pordega-Fonta Tensio: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Pordega-Fonta Sojla Tensio: | 2 V |
| Qg - Pordega Ŝarĝo: | 25 nC |
| Minimuma Operacia Temperaturo: | - 50 C |
| Maksimuma Funkcia Temperaturo: | + 150 C |
| Pd - Potenco Dissipado: | 52 W |
| Kanala reĝimo: | Plibonigo |
| Komercnomo: | TranĉeoFET |
| Pakado: | Bobeno |
| Pakado: | Tranĉi Bendon |
| Pakado: | MouseReel |
| Marko: | Vishay Semiconductors |
| Agordo: | Unuopa |
| Aŭtuna Tempo: | 12 ns |
| Antaŭen Transkonduktanco - Min: | 4 S |
| Alteco: | 1,04 mm |
| Longo: | 3,3 mm |
| Produkta Tipo: | MOSFET |
| Levtempo: | 11 ns |
| Serio: | SI7 |
| Fabrika Pako Kvanto: | 3000 |
| Subkategorio: | MOSFEToj |
| Tipo de transistoro: | 1 P-Kanalo |
| Tipa Malŝalta Prokrasto: | 27 ns |
| Tipa Enŝalta Prokrasto: | 9 ns |
| Larĝo: | 3,3 mm |
| Parto # Kaŝnomo: | SI7119DN-GE3 |
| Unueca pezo: | 1 g |
• Senhalogeno Laŭ IEC 61249-2-21 Havebla
• TrenchFET® Potenco MOSFET
• Malalta Termika Rezisto PowerPAK® Pako kun Malgranda Grandeco kaj Malalta 1.07 mm Profilo
• 100 % UIS kaj Rg Testita
• Aktiva Krampo en Mezaj DC/DC Elektroprovizoj
