SI7461DP-T1-GE3 MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
♠ Produkta Priskribo
| Produkta Atributo | Atributa Valoro |
| Fabrikisto: | Vishay |
| Produkta Kategorio: | MOSFET |
| RoHS: | Detaloj |
| Teknologio: | Si |
| Monta Stilo: | SMD/SMT |
| Pako/Kazo: | SOIC-8 |
| Transistora Polareco: | P-kanalo |
| Nombro da Kanaloj: | 1 Kanalo |
| Vds - Malplenigo-Fonta Tensio: | 30 V |
| Id - Kontinua Drena Kurento: | 5.7 A |
| Rds On - Dreniĝo-Fonta Rezisto: | 42 mOhmoj |
| Vgs - Pordega-Fonta Tensio: | - 10 V, + 10 V |
| Vgs th - Pordega-Fonta Sojla Tensio: | 1 V |
| Qg - Pordega Ŝarĝo: | 24 nC |
| Minimuma Operacia Temperaturo: | - 55 C |
| Maksimuma Funkcia Temperaturo: | + 150 C |
| Pd - Potenco Dissipado: | 2,5 W |
| Kanala reĝimo: | Plibonigo |
| Komercnomo: | TranĉeoFET |
| Pakado: | Bobeno |
| Pakado: | Tranĉi Bendon |
| Pakado: | MouseReel |
| Marko: | Vishay Semiconductors |
| Agordo: | Unuopa |
| Aŭtuna Tempo: | 30 ns |
| Antaŭen Transkonduktanco - Min: | 13 S |
| Produkta Tipo: | MOSFET |
| Levtempo: | 42 ns |
| Serio: | SI9 |
| Fabrika Pako Kvanto: | 2500 |
| Subkategorio: | MOSFEToj |
| Tipo de transistoro: | 1 P-Kanalo |
| Tipa Malŝalta Prokrasto: | 30 ns |
| Tipa Enŝalta Prokrasto: | 14 ns |
| Parto # Kaŝnomo: | SI9435BDY-E3 |
| Unueca pezo: | 750 mg |
• TrenchFET®-potencaj MOSFEToj
• Malalta termika rezisto PowerPAK®-pakaĵo kun malalta 1,07 mm profiloEC
