SQM50034EL_GE3 MOSFET N-KANALO 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ Produkta Priskribo
| Produkta Atributo | Atributa Valoro |
| Fabrikisto: | Vishay |
| Produkta Kategorio: | MOSFET |
| RoHS: | Detaloj |
| Teknologio: | Si |
| Monta Stilo: | SMD/SMT |
| Pako/Kazo: | TO-263-3 |
| Transistora Polareco: | N-kanalo |
| Nombro da Kanaloj: | 1 Kanalo |
| Vds - Malplenigo-Fonta Tensio: | 60 V |
| Id - Kontinua Drena Kurento: | 100 A |
| Rds On - Dreniĝo-Fonta Rezisto: | 3.2 mOhmoj |
| Vgs - Pordega-Fonta Tensio: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Pordega-Fonta Sojla Tensio: | 2 V |
| Qg - Pordega Ŝarĝo: | 60 nC |
| Minimuma Operacia Temperaturo: | - 55 C |
| Maksimuma Funkcia Temperaturo: | + 175 C |
| Pd - Potenco Dissipado: | 150 W |
| Kanala reĝimo: | Plibonigo |
| Komercnomo: | TranĉeoFET |
| Marko: | Vishay / Siliconix |
| Agordo: | Unuopa |
| Aŭtuna Tempo: | 7 ns |
| Produkta Tipo: | MOSFET |
| Levtempo: | 7 ns |
| Serio: | SQ |
| Fabrika Pako Kvanto: | 800 |
| Subkategorio: | MOSFEToj |
| Tipa Malŝalta Prokrasto: | 33 ns |
| Tipa Enŝalta Prokrasto: | 15 ns |
| Unueca pezo: | 0.139332 oz |
• TrenchFET® potenco MOSFET
• Pako kun malalta termika rezisto
• 100 % Rg kaj UIS provitaj
• AEC-Q101 kvalifikita
